單晶硅壓力（差壓）變送器如何確保測量精度

   單晶硅差壓變送器是20世紀80年代研制開發(fā)的新式差壓變送器，它運用單晶硅諧振傳感器，選用微電子外表加工技能，還可結束反抗靜壓、溫飄對其影響。因為配備了低噪聲調(diào)制解調(diào)器和開放式通訊協(xié)議，現(xiàn)在的單晶硅差壓變送器可結束數(shù)字無損耗信號傳輸。

   單晶硅壓力傳感器具有高精度和高穩(wěn)定性，通常能夠達到±0.075%FS（滿量程）或更高。制造過程中采用微米級別的加工技術，使其具備高精度和高穩(wěn)定性。此外，單晶硅材料本身具有優(yōu)異的物理性質(zhì)，如高強度、高硬度、高耐腐蝕性等，也保證了傳感器的精度和穩(wěn)定性。

此外，單晶硅壓力傳感器還具有大量程遷移比的特點，可在較大的壓力范圍內(nèi)進行測量。因此，在工業(yè)控制、汽車電子、醫(yī)療設備等領域有廣泛應用。需要注意的是，傳感器的精度受到多種因素的影響，如溫度、濕度和壓力等。因此，在使用過程中需要定期校準和維護，以保證其精度和穩(wěn)定性。

   單晶硅電阻器式控制器的輸出協(xié)調(diào)性高、信號量大、回差很小，而且電路原理比較簡約靠譜，因此國際性上較多智能變送器生產(chǎn)商優(yōu)先選擇選用此計劃方案開展高檔智能變送器的產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)制造?？墒禽^之中文談及的金屬材料電容式傳感器和單晶硅串聯(lián)諧振式控制器， 單晶硅電阻器集成ic的運用具備比較獨特的加工工藝規(guī)定。具體表現(xiàn)在

芯片的無地應力封裝技術性和硅塑料薄膜的單邊過壓保護技術性層面。這兩項運用技術性在2000年以前緊緊把握在西方國家資本主義國家手上，從2013年之后，麥德勝電氣設備（我國）有限責任公司根據(jù)從英國MADSHEN國際貿(mào)易公司的技術性協(xié)作、引入和再產(chǎn)品研發(fā)，最后充足把握了多選有關技術性，因而保持了高可靠性硅工作壓力、差

變送器在中國規(guī)模性生產(chǎn)制造，MDSGP100系列產(chǎn)品和MDSDP系列產(chǎn)品的高可靠性單晶硅智能變送器的精確度基礎理論級別超過了0.05級，一切正?？沙^0.075級，徹底超過乃至超出了左右海外著名品牌的智能變送器。

   橫河EJA系列單晶硅諧振式變送器，較之電容式傳感器其生產(chǎn)過程中的制造成本控制有一定的優(yōu)勢。主要的優(yōu)勢體現(xiàn)在溫度和靜壓補償環(huán)節(jié)中，即：雙諧振回路的原始差動信號輸出，而此差動信號不被溫度和靜壓的影響，因此對于后期的變送器的溫度補償和靜壓補償?shù)裙ば颦h(huán)節(jié)操作較為簡便。其最終的準確度等級到達0.065級，稍遜色于羅斯蒙

3051C/S系列。但是由于單晶硅諧振梁芯片的批量生產(chǎn)技術被日本橫河公司壟斷，這種單晶硅諧振梁芯片所帶來的技術難度和技術壁壘，同樣不能有效地被中國本土企業(yè)突破，因此幾乎所有的中國制造廠商均放棄了單晶硅諧振式變送器的進一步探索和研究。

第三種為德國、瑞士為代表的單晶硅電阻式壓力、差壓變送器。其工作原理為：外界壓差傳遞到內(nèi)部的單晶硅全動態(tài)的壓阻效應惠斯登電橋，惠斯頓電橋在壓力的作用下產(chǎn)生一個跟隨壓力變化的電壓信號輸出，將這個電壓信號通過電子電路收集、放大和軟件補償處理后，就得到壓力信號的線性輸出。